單晶硅彎曲試驗(yàn)機(jī)用于金屬及非金屬的拉伸、壓縮、彎曲、剪切、剝離、撕裂、保載、蠕變、松弛、往復(fù)等項(xiàng)的靜力學(xué)性能測(cè)試分析研究，可自動(dòng)求取ReH、ReL、Rp0.2、Fm、Rt0.5 、Rt0.6、Rt0.65、Rt0.7、Rm、E等試驗(yàn)參數(shù)，并可根據(jù)GB、ISO、DIN、ASTM、JIS等標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行試驗(yàn)和提供數(shù)據(jù)。
單晶硅三點(diǎn)彎曲試驗(yàn)機(jī) 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：
單晶硅三點(diǎn)彎曲試驗(yàn)機(jī)主機(jī)架由底座、兩根固定橫梁、一根移動(dòng)橫梁和四根高強(qiáng)度支撐光杠構(gòu)成門(mén)式高剛性框架結(jié)構(gòu)，傳動(dòng)加載系統(tǒng)采用伺服電機(jī)、控制系統(tǒng)及同步齒形帶減速裝置，帶動(dòng)高精度滾珠絲杠轉(zhuǎn)動(dòng)，再驅(qū)動(dòng)移動(dòng)橫梁實(shí)現(xiàn)加載。分為單空間和雙空間兩種機(jī)型，一般雙空間結(jié)構(gòu)為上拉下壓，也可做成上壓下拉。
單晶硅三點(diǎn)彎曲試驗(yàn)機(jī) 技術(shù)參數(shù)
一、單晶硅三點(diǎn)彎曲試驗(yàn)機(jī) 測(cè)量參數(shù)
1、度等級(jí)：0.5級(jí)；
2、試驗(yàn)力(kN)：50、100、200、300、500、600；
3、試驗(yàn)力測(cè)量范圍：0.4%～100%FS；
4、試驗(yàn)力示值誤差：示值的±0.5%以內(nèi)；
5、試驗(yàn)力分辨率：zui高可達(dá)±1/300000；
6、變形示值范圍：0.2%～100%FS；
7、變形示值誤差：示值的±0.5%以內(nèi)；
8、變形分辨率：zui高可達(dá)1/300000；
9、大變形測(cè)量范圍(mm)：10～800；
10、大變形示值誤差：示值的±1.0%以內(nèi)；
11、大變形分辨力(mm)：0.008；
12、位移示值誤差：示值的±0.5%以內(nèi)；
13、位移分辯力(μm)：zui小0.01；
二、單晶硅三點(diǎn)彎曲試驗(yàn)機(jī) 控制參數(shù)
1、力控速率調(diào)節(jié)范圍：0.005～5%FS/S；
2、力控速率控制精度：
當(dāng)速率<0.05%FS時(shí)，精度為設(shè)定值的±2%以內(nèi)，
當(dāng)速率≥0.05%FS時(shí)，精度為設(shè)定值的±0.5%以內(nèi)；
3、變形速率控制范圍：0.005～5%FS/S；
4、變形速率控制精度：
當(dāng)速率<0.05%FS時(shí)，精度為設(shè)定值的±2%以內(nèi)，
當(dāng)速率≥0.05%FS時(shí)，精度為設(shè)定值的±0.5%以內(nèi)；
5、橫梁移動(dòng)速度(mm/min)：常規(guī)：0.001～500，zui高：1000；
6、橫梁速度相對(duì)誤差：
0.5mm/min以上速度可以控制在±0.2%，
0.5mm/min以下速度可以控制在±1%；
三、單晶硅三點(diǎn)彎曲試驗(yàn)機(jī) 尺寸參數(shù)
1、有效試驗(yàn)寬度(mm)：550；
2、橫梁移動(dòng)行程(mm)：?jiǎn)慰臻g600雙空間500;
3、主機(jī)尺寸(mm)：
1000×650×1950(力值≤50kN，單空間)
1000×650×2100(力值 ≤50kN， 雙空間)、
1000×770×2120(100kN≤力值≤300kN，單空間)
1000×770×2300(100kN≤力值≤300kN，雙空間)
800×600×2300(500kN≤力值≤600kN，單空間)
800×600×2450(500kN≤力值≤600kN，雙空間)
4、電源(V/Hz)：三相380/50；
5、功率(kW)：2～7；
6、主機(jī)重量(kg)：1200～2000。
